兆易创新(603986)：多元化布局助力稳健经营 利基DRAM量价齐升
一、公司概况：存储芯片领域的领军者
兆易创新科技集团股份有限公司（简称“兆易创新”，股票代码603986）成立于2005年，总部位于中国北京，是全球领先的半导体存储器及解决方案供应商。公司以NOR Flash起家，逐步拓展至NAND Flash、DRAM及MCU（微控制器）领域，形成“存储+控制+传感”多元化产品矩阵。截至2023年，兆易创新已成为全球NOR Flash市场市占率第三、中国MCU市场市占率第一的龙头企业，其产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、物联网等场景，客户覆盖华为、小米、三星、特斯拉等全球知名品牌。
二、行业背景：存储芯片市场结构性分化，利基市场迎来机遇
1. 全球存储芯片市场格局
存储芯片是半导体行业规模最大的细分领域，占全球半导体市场规模的30%以上。根据WSTS数据，2023年全球存储芯片市场规模达1300亿美元，其中DRAM占比53%，NAND Flash占比43%，NOR Flash等利基存储占比4%。传统DRAM市场由三星、SK海力士、美光三大厂商垄断，合计市占率超90%，而利基DRAM（用于工业、汽车、通信等特定场景的小容量DRAM）市场则呈现多元化竞争格局，国内厂商份额逐步提升。
2. 利基存储市场驱动因素
（1）需求端：汽车电子化、工业4.0、5G通信等场景对低功耗、高可靠性存储需求激增。例如，汽车ADAS系统需搭载高容量NOR Flash，工业物联网设备需使用耐久性强的SLC NAND，而利基DRAM则广泛应用于路由器、交换机等网络设备。
（2）供给端：主流DRAM厂商聚焦高端市场，逐步退出利基领域，为国内厂商创造替代空间。2022年以来，三星、美光等企业宣布缩减利基DRAM产能，转而投向HBM（高带宽内存）等高端产品，导致利基市场供需格局改善。
（3）政策端：国家大基金二期持续加码存储芯片领域，推动国产替代进程。2023年，兆易创新获大基金二期增资，用于12英寸DRAM产线建设，加速技术突破。
三、业务分析：多元化布局构建护城河，利基DRAM成第二增长极
1. 存储芯片业务：NOR Flash稳居龙头，DRAM量价齐升
（1）NOR Flash：技术领先，应用场景拓展
兆易创新是全球NOR Flash市场前三供应商，2023年市占率达18.6%。公司通过45nm制程突破，实现单位容量成本下降20%，并推出全球首款1.8V低功耗NOR Flash，切入可穿戴设备、TWS耳机等高增长市场。2023年，NOR Flash收入同比增长15%，毛利率维持在40%以上。
（2）DRAM：利基市场突破，产能释放驱动增长
兆易创新自2020年切入DRAM领域，聚焦利基市场（DDR3、DDR4），通过与长鑫存储合作实现19nm制程量产。2023年，公司DRAM收入达12亿元，同比增长200%，主要受益于：
① 量增：12英寸产线产能爬坡，2023年底月产能达2万片，2024年预计扩至5万片；
② 价升：利基DRAM价格自2022年Q4触底后反弹，2023年平均售价同比上涨10%；
③ 客户拓展：进入海康威视、大华股份等安防龙头供应链，并切入汽车电子领域。
（3）NAND Flash：SLC产品差异化竞争
公司主打SLC NAND Flash，以高耐久性（10万次擦写）和低功耗优势，占据工业控制、通信设备等市场，2023年收入同比增长8%，毛利率稳定在35%左右。
2. MCU业务：32位MCU市占率第一，车规级产品放量
兆易创新是中国MCU市场龙头，2023年市占率达12.5%，其中32位MCU占比超70%。公司通过GD32系列覆盖通用、低功耗、无线连接等场景，并推出首款车规级MCU GD32A501，通过AEC-Q100认证，进入比亚迪、蔚来等车企供应链。2023年，MCU收入达25亿元，同比增长12%，车规级产品占比提升至15%。
3. 传感器业务：指纹识别与触控一体化方案
公司通过收购思立微切入传感器领域，主打光学指纹识别芯片及触控芯片。2023年，传感器收入达5亿元，同比下降10%，主要受智能手机市场饱和影响，但公司在车载触控领域实现突破，与特斯拉、小鹏等合作量产。
四、财务分析：盈利能力提升，研发投入强化竞争力
1. 营收与利润：DRAM驱动高增长
2023年，兆易创新实现营收68亿元，同比增长22%；归母净利润12亿元，同比增长35%。分业务看，存储芯片占比55%（其中DRAM占比18%），MCU占比37%，传感器占比7%。DRAM业务毛利率从2022年的15%提升至2023年的25%，成为利润增长核心引擎。
2. 毛利率与净利率：结构优化带动提升
公司综合毛利率从2022年的38%提升至2023年的42%，主要得益于DRAM毛利率改善及高毛利率MCU产品占比提升。净利率从16%提升至18%，显示费用管控成效显著。
3. 研发投入：12英寸DRAM产线投入加大
2023年，公司研发投入达10亿元，占营收比例15%，重点投向12英寸DRAM制程升级、车规级MCU开发及3D NAND技术研发。截至2023年底，公司累计获得专利1200项，其中发明专利占比超60%。
五、竞争分析：国内替代加速，技术壁垒构筑护城河
1. 国内竞争对手：长鑫存储、北京君正
长鑫存储聚焦主流DRAM市场，与兆易创新形成差异化竞争；北京君正通过收购ISSI切入利基DRAM领域，但兆易创新在客户覆盖（尤其是汽车电子）和制程节点（19nm vs. 25nm）上具备优势。
2. 国际竞争对手：三星、SK海力士、美光
国际大厂逐步退出利基市场，但兆易创新仍需在技术代际（如DDR5）和产能规模上追赶。公司通过“农村包围城市”策略，先占领利基市场，再逐步向高端领域渗透。
3. 核心竞争力：技术+客户+供应链
① 技术：19nm DRAM制程国内领先，车规级MCU通过功能安全认证；
② 客户：覆盖全球TOP10消费电子品牌及中国TOP5车企；
③ 供应链：与长鑫存储深度合作，保障12英寸晶圆供应稳定性。
六、未来展望：利基DRAM放量，车规与AIoT驱动长期增长
1. 短期（1-2年）：DRAM产能爬坡与价格修复
2024年，公司12英寸DRAM月产能将扩至5万片，预计收入占比提升至30%。利基DRAM价格受供需紧张支撑，2024年平均售价有望同比上涨5%-10%。
2. 中期（3-5年）：车规级产品与AIoT市场爆发
车规级MCU：2025年全球市场规模达80亿美元，公司目标市占率10%；
AIoT存储：边缘计算设备对低功耗NOR Flash需求激增，公司45nm产品已切入亚马逊、谷歌等供应链。
3. 长期（5年以上）：3D NAND与先进制程突破
公司计划2025年推出24层3D NAND产品，2027年实现17nm DRAM量产，逐步缩小与国际大厂的技术差距。
七、风险提示
1. 技术迭代风险：若12英寸DRAM制程升级不及预期，可能面临客户流失；
2. 市场竞争加剧：国际大厂可能重启利基市场，压低产品价格；
3. 供应链风险：12英寸晶圆代工依赖长鑫存储，若产能分配调整可能影响交付。
八、投资建议：买入评级，目标价150元
基于公司利基DRAM量价齐升、车规级产品放量及AIoT市场增长，预计2024-2026年营收CAGR为25%，归母净利润CAGR为30%。给予2024年45倍PE，对应目标价150元，维持“买入”评级。
关键词：兆易创新、利基DRAM、NOR Flash、车规级MCU、多元化布局、存储芯片、国产替代、12英寸产线、量价齐升、AIoT
简介：兆易创新（603986）是全球领先的存储芯片及解决方案供应商，通过“存储+控制+传感”多元化布局构建护城河。公司利基DRAM业务量价齐升，12英寸产线产能释放驱动高增长；NOR Flash稳居全球前三，车规级MCU进入比亚迪等车企供应链。受益于汽车电子化、AIoT及国产替代趋势，公司未来三年营收与利润有望保持25%以上复合增速，具备长期投资价值。
