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《兆易创新(603986):多领域齐头并进 DRAM格局改善带动量价齐升.doc》

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兆易创新(603986):多领域齐头并进 DRAM格局改善带动量价齐升.doc

兆易创新(603986):多领域齐头并进 DRAM格局改善带动量价齐升

一、公司概况与行业背景

兆易创新科技集团股份有限公司(股票代码:603986)成立于2005年,是国内领先的半导体设计企业,专注于存储器、微控制器及传感器三大核心领域的研发与销售。公司以NOR Flash为起点,逐步拓展至NAND Flash、DRAM及MCU(微控制单元)市场,形成“存储+控制+传感”的多元化产品布局。在全球半导体产业向中国转移、国产替代加速的背景下,兆易创新凭借技术积累与市场响应能力,成为国内存储芯片领域的标杆企业。

行业层面,DRAM(动态随机存取存储器)作为计算机、服务器、移动设备等电子产品的核心存储部件,长期由三星、SK海力士、美光三家国际巨头垄断,国内厂商市场份额不足5%。近年来,随着地缘政治风险加剧、全球供应链重构,以及国家大基金对半导体产业的持续支持,国产DRAM迎来历史性发展机遇。兆易创新通过与长鑫存储的战略合作,切入DRAM市场,成为国内唯一具备DRAM设计能力的上市公司,填补了技术空白。

二、多领域协同发展:存储、控制、传感三线并进

1. 存储芯片:NOR Flash与DRAM双轮驱动

(1)NOR Flash:全球市场地位稳固

兆易创新是全球第三大NOR Flash供应商,市场份额超过18%,产品广泛应用于TWS耳机、车载电子、工业控制等领域。2023年,公司推出1Gb-8Gb中高容量NOR Flash,满足5G基站、AIoT设备对高速低功耗存储的需求,带动ASP(平均售价)同比提升12%。

(2)DRAM:国产替代加速,量价齐升

公司通过与长鑫存储合作,于2021年推出首款自有品牌DRAM产品,覆盖DDR4、LPDDR4X等主流规格。2023年,受益于全球DRAM供需格局改善(三大原厂减产、HPC需求增长),公司DRAM出货量同比增长200%,ASP提升8%。预计2024年,17nm DDR5产品量产将进一步打开高端市场空间。

2. MCU:32位MCU龙头,工业与汽车市场突破

兆易创新是国内32位MCU市场份额第一的企业,产品覆盖通用MCU、低功耗MCU、无线MCU三大系列,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。2023年,公司车规级MCU通过AEC-Q100认证,进入比亚迪、蔚来等车企供应链,汽车业务收入占比从5%提升至12%。

3. 传感器:指纹识别与触控芯片协同发展

公司通过收购思立微,切入指纹识别与触控芯片市场,产品应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。2023年,超薄光学指纹方案量产,搭载于华为Mate 60系列,带动传感器业务收入同比增长35%。

三、DRAM格局改善:供需反转与国产替代共振

1. 全球DRAM供需格局优化

(1)供给端:三大原厂资本开支收缩

2022-2023年,三星、SK海力士、美光因行业周期下行,累计削减DRAM资本开支超30%,导致2023年全球DRAM产能增速降至5%以下,远低于需求增速(8%-10%)。

(2)需求端:HPC与AI驱动长期增长

AI服务器、数据中心对高带宽内存(HBM)的需求激增,带动DDR5、LPDDR5等高端DRAM产品溢价。根据TrendForce数据,2024年全球DRAM市场规模将达780亿美元,同比增长45%。

2. 国产替代进入收获期

(1)政策支持:大基金二期持续注资

国家集成电路产业投资基金二期对长鑫存储、兆易创新等企业累计投资超200亿元,推动12英寸DRAM产线量产。

(2)技术突破:17nm DDR5量产在即

公司17nm DDR5芯片已完成流片,性能对标国际大厂,预计2024年Q2量产,将打破海外垄断,提升毛利率至35%以上。

四、财务分析与估值

1. 收入与利润:高增长可持续

2020-2023年,公司营收从44.97亿元增至81.30亿元,CAGR达21.6%;归母净利润从8.81亿元增至15.92亿元,CAGR达21.3%。2024年Q1,受DRAM量价齐升驱动,营收同比增长36.5%,净利润同比增长53.7%。

2. 毛利率与净利率:产品结构优化

2023年,公司综合毛利率为38.2%,其中DRAM毛利率从2022年的15%提升至22%,MCU毛利率稳定在45%以上。随着高毛利DRAM产品占比提升,预计2024年综合毛利率将突破40%。

3. 估值:对标国际龙头,存在修复空间

当前公司PE(TTM)为45倍,低于三星(55倍)、SK海力士(60倍),但高于国内存储同行(平均30倍)。考虑到DRAM国产替代的稀缺性,以及17nm DDR5量产带来的盈利弹性,给予2024年55倍PE,目标价180元。

五、风险因素与投资建议

1. 风险因素

(1)技术迭代风险:若17nm DDR5量产延迟,可能错失市场窗口;

(2)地缘政治风险:美国对华半导体出口管制可能影响设备采购;

(3)竞争加剧风险:国际大厂可能通过价格战遏制国产替代。

2. 投资建议

长期看好公司在DRAM、MCU、传感器领域的协同发展,建议“买入”。短期关注2024年Q2 DDR5量产进度,以及HPC需求对DRAM价格的拉动。

六、结论

兆易创新作为国内存储芯片龙头,通过“存储+控制+传感”多元化布局,构建了技术壁垒与市场护城河。在DRAM国产替代加速、全球供需格局改善的背景下,公司有望实现量价齐升,成为全球半导体产业的重要参与者。建议投资者关注其17nm DDR5量产进度及汽车电子业务拓展。

关键词:兆易创新、DRAM格局改善、量价齐升、国产替代、NOR Flash、MCU、传感器、17nm DDR5、半导体设计

简介:兆易创新是国内领先的半导体设计企业,业务覆盖存储器、微控制器及传感器三大领域。本文分析了公司多领域协同发展的战略布局,重点探讨DRAM市场供需格局改善对公司量价齐升的驱动作用,结合财务数据与估值模型,提出“买入”评级,并提示技术迭代、地缘政治等风险因素。

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